①使用温度
硅碳棒表面温度越高其寿命也就越短。当硅碳棒在炉膛温度超过1600℃以后，氧化速度加快，所以不要让硅碳棒表面温度过高，必要时刻可以让炉膛温度与硅碳棒温度差缩小。
②炉内气氛
在烧结中，硅碳棒与水、氢、氮、硫、卤素等气体及熔融的铝、、盐、熔融金属、金属氧化物接触容易发生腐蚀或氧化现象。
③表面负荷
表面负荷密度=额定功率（W）/ 发热部表面积（cm2）
负荷密度大则发热体表面温度与炉膛温度之差也大。负荷密度大则棒体表面温度高，电阻增长快，硅碳棒的寿命短。因此，硅碳棒表面温度负荷密度、炉内气氛、温度与硅碳棒老化速度成正比，与SIC棒的寿命成反比。
④窑炉运行方式
硅碳棒在连续式窑炉与间歇式窑炉中，前者的寿命较长。硅碳棒在使用中表面氧化生成二氧化硅薄膜，长时间使用使二氧化硅皮膜增加，硅碳棒阻值也随之增加。二氧化硅薄膜在结晶临界点（270℃）附近发生异常膨胀、收缩。因在间歇式窑炉中间断使用总在此温度上下浮动，所以反复破二氧化硅薄膜，加速氧化。因此停电炉温降至室温时经常急剧增加电阻。